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通过利用热释电光电子效应，｜浅求及基于p-n异质结结构实现的UVPDs展示出较快的响应速度和较高的灵敏度。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，析用投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu.。
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尤其是随着自供能电子设备在可穿戴电子、风险智能传感器、风险柔性光电子等领域日益增长的需求发展，大量自供能的ZnO基光电探测器（PDs）通过利用肖特基结和p-n结的光伏效应被成功设计和制备出来。尤其是，管控光辐照在纤锌矿ZnO内部可以通过热应变效应诱导产生相对稳定的极化电势（类似于压电效应），管控从而对肖特基势垒高度产生调控作用，导致光生载流子的传输性质在肖特基结区被调制，即为次级热释电光电子学效应。
图二、川售电市场事后热释电光电子学效应增强的自供电ZnO/Ag肖特基结PD性能（a）325nm，功率密度从1.22×10-5至7.48×10-4Wcm-2紫外光照射下PD的I-t特性。
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